Přejít k obsahu | Přejít k hlavnímu menu | Přejít k vyhledávání

Informace o projektu
Studium morfologie rozhraní epitaxních multivrstev RTG reflexí

Logo poskytovatele
Kód projektu
GA202/99/P064
Období řešení
1/1999 - 1/2001
Investor / Programový rámec / typ projektu
Grantová agentura ČR
  • Standardní projekty
Fakulta / Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta

Morfologie rozhraní je důležitá pro optické a elektrické vlastnosti multivrstev. V rámci tohoto projektu budu studovat rozhraní multivrstev typu II/VI, III/V a IV/IV, převážně GaAs/AlAs a SiGe/Si, pěstovaných metodami MBE a MOVPE. Dané vzorky obsahují nejen náhodně drsná rozhraní, ale i velké laterální terasy, které jsou vzájemně korelovány mezi sousedními rozhraními, a dále samouspořádané nízkodimenzionální struktury (kvantové dráty a body). Ke studiu rozhraní použiji metodu rentgenové reflexe ve spekulárním i difúzním módu, čímž se zajistí personální obsazení pro aplikaci této metody v rámci nosného projektu. Experimenty budou provedeny za použití laboratorních i synchrotronových zdrojů RTG záření. Naměřená data budou srovnána s příslušnými strukturními modely a bude analyzována souvislost mezi morfologií rozhraní a krystalovou orientací a parametry růstu vzorků. Výsledky experimentů povedou k optimalizaci parametrů epitaxního růstu.

Publikace

Počet publikací: 5

2002

2001

2000

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.