Informace o projektu
Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
- Kód projektu
- GA202/00/0354
- Období řešení
- 1/2000 - 1/2002
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Přírodovědecká fakulta
Samouspořádávací procesy při epitaxním růstu polovodičových heterostruktur jsou vhodným kandidátem pro růst velmi malých struktur (kvantových drátů a teček) se zajímavými technologickými aplikacemi. V rámci navrhovaného projektu bude studována struktura samouspořádaných rozhraní RTG rozptylem (RTG maloúhlá reflexe, RTG difrakce s vysokým rozlišením, grazing-incidence RTG difrakce) a pomocí rastrovací mikroskopie AFM (atomic force microscopy). Experimentální výsledky budou srovnány s modelovými simulacemi epitaxního růstu, založenými na výpočtu deformačního pole poblíž rostoucího rozhraní a na Monte-Carlo simulaci kinetiky růstu. Pozornost bude věnována zejména supermřížkám SiGe/Si, SiC/Ge a PbSe/PbEuTe připravených metodou molekulární epitaxe. RTG měření budou prováděna na laboratorních zdrojích a na synchrotronu ESRF v Grenoblu. Na vysokoteplotním laboratorním reflektometru budou sledovány strukturní změny v samouspořádaných strukturách za vyšších teplot.
Publikace
Počet publikací: 25
2001
-
X-ray diffraction from CuPt-ordered III-V ternary semiconductor alloy films
Phys. Rev. B, rok: 2001, ročník: 63, vydání: 15
-
X-ray reflectivity from self-assembled structures in Ge/Si superlattices
J. Phys.D.: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy
Journal of Applied Physics, rok: 2001, ročník: 89, vydání: 9
-
X-ray studies on self-organized wires in SiGe/Si multilayers
J. Phys.D.: Appl. Phys., rok: 2001, ročník: 34, vydání: 10A
-
X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy
Journal of Applied Physics, rok: 2001, ročník: 90, vydání: 2